Uvled固化機(jī)的結(jié)構(gòu)是什么？Uvled固化機(jī)有什么優(yōu)點(diǎn)？

Uvled固化機(jī)的結(jié)構(gòu)是什么？Uvled固化機(jī)有什么優(yōu)點(diǎn)？UVLED（紫外線LED）由一個(gè)或多個(gè)InGaN量子阱夾在較薄的GaN三明治結(jié)構(gòu)之間組成，形成的有效區(qū)域是包層。 通過將InN-GaN的相對(duì)比例更改為InGaN量子阱，可以將發(fā)射波長從紫光更改為其他光。AlGaN可以通過更改AlN比例來制作UVLED和量子阱層的包層，但是這些設(shè)備的效率和成熟度很差。 如果活性的量子阱層是GaN，與InGaN或AlGaN合金相反，則器件發(fā)射的光譜范圍為350?370nm。

當(dāng)藍(lán)色I(xiàn)nGaNLED泵上的短電子脈沖時(shí)，會(huì)產(chǎn)生紫外線。 含鋁的氮化物，特別是AlGaN和AlGaInN可用于制造短波長器件，從而獲得串聯(lián)波長UVLED。 波長高達(dá)247nm的二極管已經(jīng)商業(yè)化，基于氮化鋁且可發(fā)出210nm紫外線輻射的LED已成功開發(fā)，并且在250?270nm波段的UVLED也正在蓬勃發(fā)展。
III-V族金屬氮化物基半導(dǎo)體非常適合制造紫外線輻射源。 以AlGaInN為例，在室溫下，隨著各組分比例的變化，復(fù)合過程中電子和空穴的輻射能量為1.89?6.2eV。 如果LED的有源層僅由GaN或AlGaN組成，則其紫外線輻射效率非常低，因?yàn)殡娮雍涂昭ㄖ�間的復(fù)合是非輻射復(fù)合。 如果在此層中摻雜少量金屬In，則有源層的局部能級(jí)將發(fā)生變化。 此時(shí)，電子和空穴將發(fā)生輻射復(fù)合。 因此，當(dāng)有源層中摻雜有金屬銦時(shí)，在380nm處的輻射效率比未摻雜時(shí)高19倍。
未來高強(qiáng)度UV技術(shù)小巧，低溫且環(huán)保，不需要燈泡。
FUTANSI技術(shù)UV LED光固化系統(tǒng)，非常適合系統(tǒng)集成，UV LED光固化系統(tǒng)可配置為任意長度的光，適用于各種固化應(yīng)用，包括半導(dǎo)體產(chǎn)品，VCD，DVD頭，液晶，光學(xué)透鏡，精密電子元件， 醫(yī)用針頭木地板涂料固化等的粘接和固定，以及特殊的紫外線環(huán)境等。UV LED光固化系統(tǒng)采用日本LED集成技術(shù)，結(jié)合高密度LED芯片
矩陣集成，微光學(xué)和微冷卻技術(shù) 一，高效率微光機(jī)電系統(tǒng)封裝的形成。
采用LED型集成技術(shù)的高強(qiáng)度紫外線燈系統(tǒng)具有以下優(yōu)點(diǎn)：
1.降低擁有成本
2.無需維護(hù)，從而提高了生產(chǎn)效率
3.在整個(gè)過程中都穩(wěn)定 紫外線輸出的生命周期，提高產(chǎn)量
第四，即時(shí)切換，降低運(yùn)營成本。 照明系統(tǒng)僅在固化過程中需要打開。

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